ICP電感耦合等離子體
相對(duì)于傳統(tǒng)磁控濺射,ICP濺射光學(xué)鍍膜,采用先金屬化濺射,再通過離化反應(yīng)氣體與金屬薄膜反應(yīng)化合成介質(zhì)薄膜,其工藝腔體在一個(gè)PM(維護(hù)保養(yǎng))周期內(nèi)始終保持真空,提供一個(gè)穩(wěn)定可靠的鍍膜環(huán)境,而且生產(chǎn)效率更高。
適用于在玻璃,塑料等基材的平面或曲面鍍制AR,超硬AR,BBAR膜層,鏡面,NCVM,濾光片等光學(xué)膜的鍍膜,還可以實(shí)現(xiàn)AF/AS膜的鍍制。
蒸發(fā)/濺射工藝制程中基材清潔和輔助沉積采用ICP源:
電子槍輔助:可通多種氣體,除了做輔助外,有些應(yīng)用在鍍完后可做一層DLC進(jìn)行保護(hù);
PVD輔助:主要可用于補(bǔ)氧、補(bǔ)氮一類的應(yīng)用,適合做氧化物和氮化物。在使用金屬靶高速濺射的情況下使用ICP源補(bǔ)氧或氮進(jìn)行氧化或氮化,以實(shí)現(xiàn)通過磁控濺射的手段快速制備高精密光學(xué)薄膜。
ICP的優(yōu)勢(shì):
提高等離子密度,尤其是惰性反應(yīng)氣體的離化率
高能粒子轟擊,提高薄膜致密度
提高成膜質(zhì)量,可避免高溫工藝
改變薄膜晶體結(jié)構(gòu)從而改變薄膜化學(xué)或電學(xué)性能
CCP電容耦合等離子體
電容耦合等離子體的工作原理與電感耦合等離子體不同。電容耦合方式是由接地的放電室(由復(fù)合系數(shù)很小的材料如石英做成)和引入的驅(qū)動(dòng)電極作為耦合元件。驅(qū)動(dòng)電極上鍍有濺射產(chǎn)額較低的陶瓷材料以減少離子的對(duì)陰極材料的濺射。當(dāng)與電源接通后,在放電室和驅(qū)動(dòng)電極之間產(chǎn)生高頻電場(chǎng),自由電子在此作用下做上下往復(fù)運(yùn)動(dòng),并激發(fā)放電。由于電子的自由程遠(yuǎn)大于放電室的尺寸,因此主要靠它們從管壁上打出的二次電子而獲得倍增,后者成為這種放電的維持者,而由氣體電離所產(chǎn)生的二次電子將起次要作用。